plc编程关于S7-200存储区以及数据保存的说明

S7-200常用存储区包括  RAM区、V 区、M 区、T 区、C 区和EEPROM区，这些所有的存储区大小都是固定的，并不能进行扩展。下面对它们作简单说明：

EEPROM区：
S7-200的永久程序数据保存区，EEPROM中可以保存用户程序、V区数据：
从PC机向PLC下载的过程就是将 程序 保存到EEPROM当中；
对SMB31和SMW32进行编程，可以将V 区当中的数据保存到EPROM当中；

EEPROM类似于PC机中硬盘的功能；
          
                 通过PC/PPI下载/上载                         EEPROM区                   



           对SMB31和SMW32进行编程

RAM区： 
当S7-200通电时，程序从EEPROM里装载到RAM 区当中，S7-200运行时执行的一条一条指令就存储在该区，同时RAM区中包括V 区、M 区、T 区、C 区等数据区；

RAM类似于PC机中的内存，当您的程序大于内存时，它是下载不到PLC当中的；

关于RAM区的程序数据存储情况有以下几种：

                
                     S7-200通电



                               S7-200断电                                                50－190小时后
       RAM 区程序被清空         
                                                               V 区、M 区、
                                                               T 区、C 区清空  


V 区、M 区、T 区、C 区：
V 区、M 区分别是S7-200 RAM区的数据存储区，T 区是定时器存储区，C 区是计时器存储区， 它们用来存放程序运行时的运算结果和计时、计数值：

关于V 区、M 区、T 区、C 区的程序数据存储情况有以下几种：

在Step7 MicroWin32编程软件的系统块当中若设定了V 区、M 区、T 区、C 区的调电保存范围，如下所示：


可以使用内置在S7-200中的电容保存这些数据：

                              S7-200断电                                        50－190小时后
                                                                                                                        
                                                                                      V 区、M 区、T 区、C 区清空  

如果在S7-200上插有专用电池则在PLC断电后：

                      50－190小时后                                         PLC持续断电200天后
                                                                                                                        
                                                                                    V 区、M 区、T 区、C 区清空  

另外： 电容充电时间为24小时，PLC在不断电的情况下专用电池能够使用10年；



EEPROM与V区之间数据交换的过程

用户对SMB31和                                  S7-200断电
SMW32编程                                        50－190小时后                         S7-200通电  
     
                                                               

关于“保存数据到CPU内置EEPROM”，新发布了一个指令库文件，其中包含使用直接和间接寻址方式保存任意V存储区和字节个数的子程序。可为此程序指定起始地址和数据个数，每个周期中只保存一个字节数据，不会造成CPU程序扫描超时。

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V 区

EEPROM区

向RAM 区复制程序代码

EEPROM区

RAM区

V 区、M 区、
T 区、C 区

电容保存V 区、M 区、T 区、C 区
电容保存V 区、M 区、T 区、C 区

电容保存V 区、M 区、T 区、C 区

电池保存V 区、M 区、T 区、C 区


V 区


电容保持的V 区被清空

V区当中的数据复制到EEPROM当中

EEPROM中的数据复制到V区


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